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电子元器件详细资料 » IC[28695] » SI4447DY-T1-GE3
型号:SI4447DY-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C72 毫欧 @ 4.5A,15V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs14nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds805pF @ 20V
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市巨盛邦电子有限公司梦小姐0755-82734580
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SI4447DY-T1-GE3相关型号

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